Перейти к содержанию

Магнетронное распыление

В магнетронном процессе ионы плазмы бомбардируют мишень, выбивая частицы материала, которые осаждаются на подложке. Магнитное поле удерживает электроны вблизи поверхности мишени и поддерживает разряд.

Параметры процесса

На результат влияют базовое и рабочее давление, состав и расход газа, мощность, расстояние до подложки, ее температура и движение. При реактивном распылении добавляется взаимодействие мишени с реактивным газом и необходимость устойчивого регулирования режима.

Качество покрытия

Толщина и однородность зависят от геометрии катодов и оснастки. Адгезия связана с материалом и подготовкой поверхности. Скорость осаждения нельзя рассматривать отдельно от состава, качества и тепловой нагрузки.

Данные для оборудования

Укажите материал и размеры подложки, мишени и слои, требования к толщине, однородности, производительности и контролю. Отдельно перечислите газы, нагрев, очистку, вращение и регистрацию рецептов.

Для подбора установки направьте параметры процесса и загрузки на mail@rankuum.ru.

Нужен подбор по параметрам?

Опишите задачу и приложите исходные требования в письме.